[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200410082521.2 | 申请日： | 2004-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1604327A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 神田良;大川重明;吉武和广 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的第一以及第二岛区(7、8)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区(27)。而且，N型的埋入扩散区(27)与被施加了电源电位的N型的扩散区(25、26)连结。由此，在构成小信号部(2)的区域(7、8)中，由被施加了电源电位的N型的埋入扩散区(27)来区分衬底(4)和外延层(5)。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，可以防止小信号部(2)的误动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，包括：半导体层；以及将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于：在形成所述控制元件的岛区中，形成被施加电源电位的一导电型的埋入扩散区，配置所述一导电型的埋入扩散区，以区分构成所述半导体层的逆导电型的半导体衬底和形成所述控制元件的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410082521.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示器及用于其的薄膜晶体管阵列板
- 下一篇：回转接头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
