[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410082179.6 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1713368A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李柱玩;金俊基 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件能防止在形成被直接接触于包括导电图形和硅的N型导电区的导电图形的过程中接触电阻在被接触于N型导电区的区中增加，并且防止依照阻挡层的厚度的增加而造成的导电图形的寄生电容的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过在包括硅的N型导电区上掺杂N型杂质而形成N型高掺杂区；通过使用化学气相沉积方法将第一金属层沉积于N型掺杂区上，其中通过使第一金属层的金属与N型掺杂区的硅进行反应，金属硅化物被形成于N型掺杂区和第一金属层之间的界面处；在第一金属层上形成导电层；以及通过选择性地刻蚀导电层和第一金属层来形成导电图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
