[发明专利]器件封装及其制造和测试方法有效
| 申请号： | 200410082074.0 | 申请日： | 2004-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1649117A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 戴维·W.·谢里尔;拉里·J.·拉斯内克;约翰·J.费希尔 | 申请（专利权）人： | 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L21/66;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供形成密封通孔结构的方法。一种方法包括：(a)提供半导体基底，该半导体基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；(b)在基底的第一表面上形成层；(c)蚀刻从第二表面穿过基底到该层的通孔，该通孔在第一表面上具有第一周长；(d)在层中形成孔，其中该孔具有第一周长内的第二周长；以及(e)提供用于密封通孔结构的导电结构。还提供密封通孔结构，检测在密封器件封装中的泄漏的方法，密封器件封装，具有冷却结构的器件封装，以及将第一元件粘结第二元件上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 封装 及其 制造 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成密封通孔结构的方法，包括：(a)提供半导体基底，该半导体基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；(b)在基底的第一表面上形成一个层；(c)从第二表面到该层蚀刻穿过基底的通孔，该通孔在第一表面上具有第一周边；(d)在该层中形成孔径，其中孔径具有第一周边之内的第二周边；以及(e)提供用于密封该通孔结构的导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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