[发明专利]用高温氧化方法制备SnO2过渡层无效
| 申请号： | 200410081380.2 | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1614744A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 雷智;张静全;冯良桓 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高温氧化方法制备SnO2过渡层，本项发明所属域为新型光电子材料。本发明主要是采用新的制作工艺，用高温氧化方法在透明低阻SnO2:F薄膜表面，氧化出一层透明本征SnO2膜。本征SnO2膜作为透明前电极与CdS层的过渡层，可以在CdS层减薄的情况下，提高CdS/CdTe电池的短波响应，使得CdTe太阳电池的转换效率提高1～2％。，本发明减化了SnO2过渡层的生产工艺，大幅降低产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 氧化 方法 制备 sno sub 过渡 | ||
【主权项】：
1.一个使用高温氧化方法制备透明SnO2高阻薄膜的方法。其特征是，在透明低阻SnO2:F薄膜的基础上，用高温氧化的方法，让氧离子向透明低电阻薄膜内扩散，对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿，从而形成低阻高阻复合膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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