[发明专利]半导体器件及该半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410079792.2 | 申请日： | 2004-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1677656A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 松木浩久;生云雅光 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;潘培坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有形成在衬底上的天线焊盘和测试焊盘。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试焊盘，在天线焊盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；天线焊盘，形成在该衬底上；测试焊盘，形成在该衬底上；包含填料的绝缘树脂层，覆盖该测试焊盘；以及凸起，设置在所述天线焊盘上。
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