[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410079728.4 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1604340A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杉原茂行 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止具有硅化物结构的中耐压晶体管的结漏的半导体装置及其制造方法。通过全面地溅射钛(Ti)而形成钛层(8)。由此，栅电极(3)通过开口部(7a)接触钛层(8)，P+型扩散层(6a、6b)分别通过开口部(7b、7c)接触钛层(8)。其后，通过进行热处理，而使接触栅电极(3)及P+型扩散层(6a、6b)的钛层(8)局部地硅化物化，以在栅电极(3)上的表面上形成硅化钛层(9a)，在P+型扩散层(6a、6b)的表面上分别形成硅化钛层(9b、9c)。而且，利用湿式蚀刻除去没有硅化物化的硅化物阻挡层(7)上的钛层(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；在上述半导体基板上通过栅极绝缘膜而形成的栅电极；邻接于上述栅电极，并形成在上述半导体基板的表面上的低浓度扩散层；离开上述栅电极，并形成在上述半导体基板的表面上的高浓度扩散层；形成于在上述低浓度扩散层上，阻止金属硅化物形成的金属硅化物阻挡层；和除了上述低浓度扩散层上以外，在上述栅电极上及上述高浓度扩散层上形成的金属硅化物层。
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