[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200410078765.3 | 申请日: | 2004-09-18 |
公开(公告)号: | CN1599056A | 公开(公告)日: | 2005-03-23 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;坂仓真之;永井雅晴;松田丰;斋藤惠子;池田寿雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/15;H05B33/10;H05B33/28;H05B33/00;G09F9/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中,分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料,这样可以提高密接性,同时,可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外,密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜,以形成不在界面产生光反射的结构。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件的制作方法,包括以下步骤:在衬底上形成具有半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管,其中所述半导体层包括源区、漏区、以及源区和漏区之间的沟道形成区;在所述薄膜晶体管上形成耐热性平整膜;在所述耐热性平整膜上形成透明导电膜;选择性地去除所述耐热性平整膜和透明导电膜,从而形成位于所述源区或所述漏区上方的开口部分和具有锥形形状的周边部分,其中,所述开口部分具有锥形形状的侧面;选择性地去除所述栅绝缘膜从而形成到达所述源区或漏区的接触孔;在所述透明导电膜上形成导电膜;使用所述透明导电膜作为蚀刻阻止物而蚀刻所述导电膜,从而形成到达所述源区或漏区的电极;对和所述电极连接的透明导电膜执行图案化从而形成阳极;形成覆盖所述阳极边缘的分割墙;在所述阳极上形成含有有机化合物的层;以及在所述含有有机化合物的层上形成阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410078765.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于识别移动终端位置的系统和方法
- 下一篇:加权过完备去噪声
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造