[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种半导体器件，能提高半导体器件的电气特性。在p型半导体衬底(1)上的n^－半导体层(3)上，从其上表面延伸到与半导体衬底(1)的界面，设置p⁺杂质区(4)。p⁺杂质区(4)在n^－半导体层(3)内，区分高电位岛区(101)、低电位岛区(104)及狭缝区(105)。高电位岛区(101)中的n^－半导体层(3)、以及低电位岛区(104)中的n^－半导体层(3)利用狭缝区(105)中的n^－半导体层(3)进行连接，在高电位岛区(101)中的n^－半导体层(3)上形成逻辑电路(103)。而且，狭缝区(105)中的n^－半导体层(3)沿Y方向的宽度W设定得比高电位岛区(101)中的n^－半导体层(3)沿Y方向的宽度HW小。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于包括：p型半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的n型半导体层；在上述半导体层内形成的、杂质浓度比上述半导体层高的p型的第一杂质区，该p型的第一杂质区从上述半导体层的上表面延伸到与上述半导体衬底的界面，在上述半导体层内区分第一至第三区；在上述第一区中的上述半导体层和上述半导体衬底的界面上形成的、杂质浓度比上述半导体层高的n型的第一埋入杂质区；以及在上述第一埋入杂质区的上方且在上述半导体层中形成的半导体元件，上述第一区中的上述半导体层与电容元件导电性地连接，上述第一区中的上述半导体层和上述第二区中的上述半导体层利用上述第三区中的上述半导体层互相连接，在平面图中，在与上述第一区和上述第三区的排列方向相垂直的方向上，上述第三区中的上述半导体层的宽度比上述第一区中的上述半导体层的宽度小。