[发明专利]电容组合及其制造方法

摘要

一电容组合系具有一衬底、一位于该衬底上之第一导电性辅助层、一电容介电质、一第二导电层、以及一接触电极；藉此，该第一辅助层系在一第一边界区域内与该电容介电质连接，而该第二导电层系在一第二边界区域内与该电容介电质连接；藉此，一有效电容区域系存在于该第一边界区域以及该第二边界区域与该介电质重迭处。该接触电极系在一接触区域内连接至该第一辅助层，其中该接触区域系配置于该第一辅助层相对于该第一边界区域的一相反表面，且其仅与该有效电容区域部分而非全部重迭，以使得在该有效电容区域内的该第一导电性辅助层之至少一部分是与该衬底相邻，而非与该接触电极相邻。

主权项

1.一种电容组合，其包括：一衬底〔120；339〕；一位于该衬底上之第一导电性辅助层〔122；222；322；422〕；一电容介电质〔124；224；224b；224c；324〕，其系在该电容介电质与该第一辅助层之间的一第一边界区域〔128；228；328；428〕内连接至该第一导电性辅助层；一第二导电层〔126；226；226b；326；326a；426〕，其系在该电容介电质与该第一辅助层之间的一第二边界区域〔130；230；330〕内连接至该电容介电质；其中一有效电容区域〔140；240；340〕系存在于该第一边界区域以及该第二边界区域与该介电质重迭处；以及一接触电极〔132；232；332；332a；432〕，其系于一接触区域〔134；234；334〕内与该第一辅助层接触；其中该接触区域系配置于该第一辅助层相对于该第一边界区域的一相反表面，且其仅与该有效电容区域部分而非全部重迭，以使得在该有效电容区域内的该第一辅助层之至少一部份是与该衬底相邻，而非与该接触电极相邻。