[发明专利]具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法无效

专利信息
申请号: 200410078254.1 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN1752764A 公开(公告)日: 2006-03-29
发明(设计)人: 卢励吾;张砚华;葛惟昆 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置,用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息,其特征在于,包括:一永久磁铁,该永久磁铁为圆柱形;一底板,该底板置于永久磁铁的下方;两块防护板,该防护板为矩形,该两防护板置于永久磁铁和底板的两侧;一台面,该台面为矩形,该台面置于永久磁铁的上面;使两块防护板的高度与永久磁铁加上底板的高度相同;台面正好覆盖住永久磁铁和两块防护板。
搜索关键词: 具有 外加 磁场 能级 瞬态 测量 装置 测量方法
【主权项】:
1.一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置,用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息,其特征在于,包括:一永久磁铁,该永久磁铁为圆柱形;一底板,该底板置于永久磁铁的下方;两块防护板,该防护板为矩形,该两防护板置于永久磁铁和底板的两侧;一台面,该台面为矩形,该台面置于永久磁铁的上面;使两块防护板的高度与永久磁铁加上底板的高度相同;台面正好复盖住永久磁铁和两块防护板。
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