[发明专利]氮化物磊晶层结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200410078004.8 | 申请日： | 2004-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1750279A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 温子稷;涂如钦;游正璋;武良文;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物磊晶层结构及其制作方法，其包括：一基板，作为基材；一第一中介层，由于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1－x－yGaxInyN)材质所形成；一第二中介层，由于该第一中介层上堆叠适当厚度的再结晶氮化铝铟镓(Al1－x－yGaxInyN)材质所形成；以及一氮化物磊晶层，由于该第二中介层上堆叠氮化物磊晶层材质所形成，因此，可以改善低温氮化铝铟镓缺陷密度过多的问题，而增进其元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 磊晶层 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物磊晶层结构，其特征在于，包括：一基板，是作为基材；一第一中介层，是由于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成，其x≥0，y≥0，1≥x+y≥0；一第二中介层，是由于该第一中介层上堆叠适当厚度，且再结晶的低温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；以及一氮化物磊晶层，是由于该第二中介层上堆叠氮化物磊晶层材质所形成。
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