[发明专利]铜的各向同性蚀刻方法无效
| 申请号： | 200410077873.9 | 申请日： | 2004-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1607268A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | E·I·库珀;B·K·弗曼;D·L·拉思 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C23F1/34 | 分类号： | C23F1/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过使用含水组合物对铜和铜合金进行蚀刻以得到均匀而又光滑的表面，所述组合物包含氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和至少一种强络合剂的混合物以及水，其pH值是约6到约12以形成氧化的蚀刻控制层从而均匀地去除铜或铜合金；然后用非氧化性组合物去除氧化的蚀刻控制层。也提供了具有光滑上表面的铜和铜合金结构。 | ||
| 搜索关键词： | 各向同性 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1、铜和铜合金的蚀刻方法，所述方法包括：a)将裸露的铜和铜合金表面与含水蚀刻组合物接触，该组合物包含氧化剂、至少一种与铜的累积稳定常数≤1014的铜或铜合金的弱络合剂与至少一种与铜的累积稳定常数≥1015的铜或铜合金的强络合剂的混合物以及水，并且其pH值是约6到约12，从而生成铜化合物2的可氧化的蚀刻控制层，和去除铜和铜合金；以及b)然后用用于去除可氧化的蚀刻控制层的非氧化性组合物与该结构接触。
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