[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。更具体地，提供一种具有薄膜晶体管的薄膜晶体管和及其制造方法，其中在衬底表面上在薄膜晶体管的源极/漏极电极上依次形成无机层和有机平坦化层，该薄膜晶体管具有半导体层、栅极、源极/漏极区域和源极/漏极电极，并对有机平坦化层进行毯式蚀刻工艺来平坦化无机层。当在无机层上形成光致抗蚀剂图案之后，进行蚀刻工艺来形成将像素电极与源极/漏极电极之一连接的孔。依照该制造方法，可使用一个掩膜形成孔，由此简化了制造工艺，并通过由上述形成的无机层改进了与像素电极的附着。可将此薄膜晶体管适当地应用于有源矩阵有机电致发光显示器。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：在衬底上形成的半导体层；在具有所述半导体层的衬底上形成的栅极绝缘层；在所述半导体层上方的所述栅极绝缘层上形成的栅极电极；在所述栅极两侧的所述半导体层中形成的源极/漏极区域；在所述衬底的整个表面上形成的、且具有暴露源极/漏极电极的接触孔/通孔的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成的、且通过所述接触孔/通孔与所述源极/漏极区域相接触的源极/漏极电极；和在像素电极和所述层间绝缘层之间形成的钝化层，其中无机层的顶部暴露在所述衬底的整个表面上从而直接与该像素电极相接触，且有机平坦化层位于不与该像素电极相接触的一些所述无机层区域上。