[发明专利]聚合物包覆层同轴纳米电缆的制备方法无效
| 申请号： | 200410075522.4 | 申请日： | 2004-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1787123A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 宋国君;王俊霞;佘希林;李建江 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01B13/016 | 分类号： | H01B13/016;H01B11/18;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 青岛高晓专利事务所 | 代理人： | 于正河;隋臻玮 |
| 地址： | 266071*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种聚合物包覆层同轴纳米电缆的制备方法，用多孔材料为模板，市售通用聚合物为聚合物材料，通过熔融法、溶液法或化学合成法将聚合物大分子植入多孔材料模板中，形成聚合物纳米管，然后以此含有聚合物纳米管的多孔材料模板为“二次模板”，通过电化学沉积等方法在聚合物纳米管中植入异质材料，形成聚合物为包覆层的同轴纳米电缆，其工艺简单，操作性强，适用面广，可选择不同聚合物包覆层和被包覆材料的品种，具有密封性强，电绝缘和柔性好的特点。可根绝各种有害物质对纳米电缆中金属等纳米线的侵蚀，阵列型同轴纳米电缆相互接触时绝缘，可适应纳米器件制备的需要而弯曲且不致损坏，可在电子纳米器件领域中广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 覆层 同轴 纳米 电缆 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种聚合物包覆层同轴纳米电缆的制备方法，其特征在于用多孔材料为模板，聚合物为通用聚合物材料，通过熔融法或溶液法或化学合成法将聚合物大分子植入多孔材料模板中，形成聚合物纳米管；然后以此含有聚合物纳米管的多孔材料模板为“二次模板”，在聚合物纳米管中植入异质材料，形成聚合物为包覆层的同轴纳米电缆；聚合物纳米管的外径即同轴纳米电缆的外径通过选择不同孔径的模板进行控制，聚合物纳米管的内径由聚合物溶液的浓度、植入温度、植入次数进行控制。
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