[发明专利]磁电阻效应膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410074144.8 申请日: 2004-08-31
公开(公告)号: CN1684145A 公开(公告)日: 2005-10-19
发明(设计)人: 河合宪一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种磁电阻效应膜,其能够缩短离子研磨处理的时间并提高读取元件的分辨率。该磁电阻效应膜包括由反射层和顶层组成的保护磁层的保护层。所述反射层和顶层由相同的金属材料制成,所述反射层的金属材料被氧化。
搜索关键词: 磁电 效应 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁电阻效应膜,包括由反射层和顶层组成的用于保护磁层的保护层,其特征在于:所述反射层和顶层由相同的金属材料制成;以及所述反射层的金属材料被氧化。
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