[发明专利]磁电阻效应膜及其制造方法无效
申请号: | 200410074144.8 | 申请日: | 2004-08-31 |
公开(公告)号: | CN1684145A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 河合宪一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种磁电阻效应膜,其能够缩短离子研磨处理的时间并提高读取元件的分辨率。该磁电阻效应膜包括由反射层和顶层组成的保护磁层的保护层。所述反射层和顶层由相同的金属材料制成,所述反射层的金属材料被氧化。 | ||
搜索关键词: | 磁电 效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁电阻效应膜,包括由反射层和顶层组成的用于保护磁层的保护层,其特征在于:所述反射层和顶层由相同的金属材料制成;以及所述反射层的金属材料被氧化。
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