[发明专利]蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法有效
| 申请号： | 200410073763.5 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1747137A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张原勋;黄良田;吕志原;黄世明;张铭宪;高晓峰;林宗平 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法，该方法是提供一蚀刻氮化硅薄膜的设备，在此设备内具有一磷酸槽，且该磷酸槽盛装有磷酸液；接着控制注入磷酸液中的水的水温；最后将一表面已形成有一氮化硅薄膜的晶圆浸入上述设备的磷酸槽中，以进行氮化硅薄膜的蚀刻，以解决晶圆上发现凹陷缺陷的问题。此外，藉由将设备中的注水管路与回路管路分离开来，亦可解决晶圆上发现凹陷缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 氮化 薄膜 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征在于其包括：一磷酸槽；一回流管路，该回流管路的两端与该磷酸槽连接；一加热装置，配置在该回流管路上；以及一注水管路，该注水管路的一端连接于该回流管路上，以提供水至该回流管路内，其中该注水管路是与该回流管路分离开来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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