[发明专利]自修复半导体及其系统有效
申请号: | 200410073737.2 | 申请日: | 2004-09-09 |
公开(公告)号: | CN1630082A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
发明(设计)人: | S·苏塔迪亚;P·苏塔迪亚;W·洛 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | 一种自修复半导体,其包括多个功能单元,这些功能单元执行同一功能,并且包括子功能单元。该半导体包括一个或多个完全或部分备用功能单元,这些备用功能单元集成到半导体上。如果在子功能单元中发现缺陷,那么子功能单元被切断,并且用完全或部分备用功能单元中的子功能单元取代。通过开关器件实现再配置,该开关器件和子功能单元相关联。有缺陷的功能或子功能单元可于组装后的操作过程中周期性地上电时被测试出,和/或手动测试出。 | ||
搜索关键词: | 修复 半导体 及其 系统 | ||
【主权项】:
1、一种自修复半导体,其包括:第一功能单元,该第一功能单元包括第一、第二和第三子功能单元,这些子功能单元合作执行第一功能,其中所述第一子功能单元与所述第二和/或第三子功能单元中的至少一个通信,并且所述第二子功能单元与所述第一和/或第三子功能单元中的至少一个通信;第一备用功能单元,其包括第一、第二和第三子功能单元,其中所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元,以及所述第一备用功能单元分别是功能上可交换的;以及开关器件,其与所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元及所述第一备用功能单元通信,并且当所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元中的至少一个不可操作时,所述开关器件用所述第一备用功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元中的至少一个,取代所述第一功能单元的所述第一、第二和第三子功能单元中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的