[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法无效
| 申请号： | 200410073654.3 | 申请日： | 2004-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1588579A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 代波;蔡建旺;赖武彦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/00 | 分类号： | H01F1/00;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法，该钉扎体系包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一被钉扎的铁磁层以及一作为钉扎材料的反铁磁层和设于其上的保护层。其制备方法是在基片上依次沉积各层并通过真空退火得到该钉扎体系。由本发明方法制备的钉扎体系采用CrPt作为反铁磁钉扎材料，其对铁磁层有比较大的钉扎作用，更为重要的是它极大地提高了体系的热稳定性和抗腐蚀能力，而且反铁磁层和铁磁层之间的原子扩散也大大地减少。该体系制备工艺简单，材料性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁 多层 膜钉扎 体系 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系，其特征在于，包括一基片和基片上依次设置的：一缓冲层，用于诱导比较好的(111)织构的铁磁层和反铁磁CrPt层；一铁磁层，设于缓冲层上；一反铁磁层CrPt设于铁磁层上，以及一用于防止铁磁和反铁磁层被氧化的保护层。
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