[发明专利]一种基于碳纳米管场发射阵列的三电极平面型显示器的制作方法无效
| 申请号： | 200410073380.8 | 申请日： | 2004-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1790588A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 田进寿;白永林;刘百玉;欧阳娴;赵宝升;白晓红;王琛;黄蕾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/26;H01J9/00;H01J1/30;H01J29/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710068陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于碳纳米管场发射阵列的三电极平面型显示器的制作方法，包括：1]在后基板上制作阴极、栅极和布线电极；2]在阴极上制作碳纳米管阵列；3]在前基板上制作荧光屏和阳极；4]制作隔离子并将其放置在前基板和后基板间；5]封装显示器。本发明的制作方法将平面型的发射结构和碳纳米管的强发射特性有机地结合起来，在处于同一平面上的阴极和栅极之间设置碳纳米管阵列，解决了背景技术中栅极制作难度大、电子传输效率低以及成本高的技术问题，具有电子传输比高(理论计算可以达到40％，实验结果为29.3％)；工艺过程简化；成本低；应用范围宽；发射稳定可靠；调节方便的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 发射 阵列 电极 平面 显示器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于碳纳米管场发射阵列的三电极平面型显示器的制作方法，其特征在于：该制作方法如下：1]在后基板(102)上制作阴极(101)、栅极(103)和布线电极；2]在阴极(101)上制作碳纳米管阵列(104)；3]在前基板(106)上制作荧光粉层(205)和阳极(105)；4]制作隔离子(112)并将其放置在前基板(106)和后基板(102)间；5]封装显示器。
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