[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 200410071204.0 | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1577435A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20;G09G3/30;G09F9/30;H05B33/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种在不使TFT的工艺复杂化的情况下可以实现面板上载系统，并且抑制成本的发光器件。本发明的发光器件的特征是：在像素部分中提供包括发光元件和控制施加给该发光元件的电流的TFT的像素，驱动电路包括的TFT和控制施加给该发光元件的电流的TFT包括：栅电极和形成在该栅电极上的栅绝缘膜；中间夹所述栅绝缘膜和所述栅电极重叠的第一半导体膜；在该第一半导体膜上形成的一对第二半导体膜，其中，所述一对的第二半导体膜中掺杂有赋予一个导电型的杂质，且所述第一半导体膜由半晶半导体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：像素部分；以及控制该像素部分工作的驱动电路，其中，所述像素部分提供有包含发光元件以及控制供应给该发光元件的电流的TFT的像素，并且，所述驱动电路包括的TFT和所述控制供应给所述发光元件的电流的TFT分别在其沟道形成区使用半晶半导体。
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