[发明专利]利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器无效
| 申请号： | 200410071174.3 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1727854A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 吕惠宾;黄延红;何萌;郭海中;程波林;金奎娟;陈正豪;周岳亮;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器，包括：一由在氧化物单晶基片的衬底的一面上外延生长掺杂氧化物和光响应材料层作成的芯片，掺杂氧化物为外延生长在氧化物单晶衬底上的掺杂钛酸锶或掺杂钛酸钡；光响应层为掺杂锰酸镧薄膜层；第一电极设置在掺杂锰酸镧薄膜上，第二电极设置在掺杂氧化物上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端。该探测器为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1.5ns，半宽度小于2ns，脉冲全宽度仅为几个ns。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化物 多层 材料 制作 响应 宽频 激光 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器，包括：一氧化物单晶基片的衬底(1)、光响应材料层(2)、第一电极(3)、第二电极(4)和引线(6)；其特征在于：还包括一外延生长掺杂氧化物薄膜(7)；该掺杂氧化物薄膜(7)设置在衬底(1)和光响应材料层(2)之间；该掺杂氧化物薄膜(7)为掺杂钛酸锶或掺杂钛酸钡薄膜，光响应层(2)为掺杂锰酸镧薄膜层，形成掺杂氧化物-掺杂锰酸镧两层结构的芯片；第一电极(3)设置在掺杂锰酸镧薄膜(2)上，第二电极(4)设置在掺杂氧化物(7)上，两根电极引线(6)的一端分别与第一电极(3)和第二电极(4)连接，电极引线(6)的另一端是信号输出端。
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