[发明专利]栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410070780.3 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1581511A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 陈佳麟;黄明杰;陈建豪;李资良;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种栅极结构，包括：一基底，于该基底上形成有一栅介电层，于该栅介电层上形成有一第一栅导电层，该第一栅导电层中的晶粒排列为一无规则排列，于该第一栅导电层上形成有一第二栅导电层，该第二栅导电层中的晶粒排列为一柱状排列。本发明的范围更包括含有前述栅极结构的金氧半晶体管结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 包含 金氧半 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅极结构，其特征是包括：一基底；一栅介电层，形成于该基底上；一第一栅导电层，形成于该栅介电层上，且该第一栅导电层中的晶粒排列为一无规则排列；以及一第二栅导电层，形成于该第一栅导电层上，且该第二栅导电层中的晶粒排列为一柱状排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410070780.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：投影型影像显示装置
- 下一篇：电话及其控制方法和电话通信系统
- 同类专利
- 专利分类
