[发明专利]以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件

摘要

本发明是一种以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件，所述静态存储元件包括一第一反相器、一第二反相器、一第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管以及一第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管；第一反相器有一耦接至一左位元节点的输入与一耦接至右位元节点的输出，第二反相器有一耦接至一右位元节点的输入与一耦接至左位元节点的输出，第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管有一耦接至左位元节点的漏极，而第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管有一耦接至右位元节点的漏极。

主权项

1、一种静态存储元件，其特征在于所述静态存储元件包括：一第一反相器，有一耦接至一左位元节点的输入，以及一耦接至一右位元节点的输出；一第二反相器，有一耦接至一右位元节点的输入，以及一耦接至一左位元节点的输出；一第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管，有一耦接至一左位元节点的漏板；一第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管，有一耦接至一右位元节点的漏极；一对互补的位元线，包括一左位元线以及一右位元线，其中左位元线耦接至该第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管的源极，且右位元线耦接至该第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管的源极；以及一字符线，该字符线耦接至该第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管的栅极以及该第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管的栅极。