[发明专利]光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410069977.5 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1577874A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 立畠直树;西原和成;指中伸夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/15;H01L31/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是由将陶瓷基板层叠而形成的凹形外壳(13)、设置在该外壳(13)的内部底面的沟槽(19)、设置在该沟槽(19)的内部的光半导体元件(20)、覆盖外壳(13)的开口部分而设置的盖体(12)、以及在该盖体(12)上形成的透镜(11)所构成的光器件，通过在盖体(12)上形成透镜(11)，能够提供廉价的光器件，能够实现光器件的小型化，并能降低高度。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光器件，其特征在于，具有将陶瓷基板层叠而形成的凹形外壳、形成在所述外壳的底面上的沟槽、收容于所述沟槽中的光半导体元件、覆盖所述外壳的开口部的盖体、以及在所述盖体上形成的透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
