[发明专利]氮化物单晶和其生产方法有效
| 申请号： | 200410069892.7 | 申请日： | 2004-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1721584A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 上松康二;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体(11)的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)的步骤和和使种晶(13)、和材料运输介质层(12)接触在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)的步骤。材料运输介质层(12)包含稀土元素的化合物和选自由铝化合物、碱土化合物和过渡金属化合物组成的组中至少一种化合物。用这个生产方法，得到晶体尺寸至少为10mm的大的氮化物单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产氮化物单晶的方法，包括如下步骤：在氮化物晶体(11)表面上形成包含稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)；和使种晶(13)和材料运输介质层(12)接触以在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)。
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