[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410069834.4 | 申请日： | 2000-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1560926A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | 小野瑞城 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，它包含：半导体衬底；制作在半导体衬底上的栅电极；制作在栅电极和半导体衬底之间的栅绝缘膜，此栅绝缘膜从栅电极的至少一个彼此相对的端部退出；制作在栅电极的至少一个彼此相对的侧表面上的层间绝缘膜，使位于栅绝缘膜退出一侧上的层间绝缘膜部分与半导体衬底接触，并由栅电极、栅绝缘膜和衬底产生一个空洞；以及沿栅电极的彼此相对的侧表面制作在半导体衬底表面部分中的源/漏区，此源/漏区具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区。从而能够完全抑制短沟道效应，并能够实现高速运行。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，它包含：半导体衬底；制作在半导体衬底上的栅电极；制作在栅电极和半导体衬底之间的栅绝缘膜，此栅绝缘膜从栅电极的至少一个彼此相对的端部退出；制作在栅电极的至少一个彼此相对的侧表面上的层间绝缘膜，使位于栅绝缘膜退出一侧上的层间绝缘膜部分与半导体衬底接触，并由栅电极、栅绝缘膜和衬底产生一个空洞；以及沿栅电极的彼此相对的侧表面制作在半导体衬底表面部分中的源/漏区，此源/漏区具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区。
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