[发明专利]制造设备有效

专利信息
申请号: 200410069433.9 申请日: 2004-06-26
公开(公告)号: CN1578549A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 坂田淳一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H05B33/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥凌
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是提供一种气相淀积设备,该设备通过提高EL材料的利用效率而减少制造成本,并在形成EL层的产量或均匀性上是优越的,本发明并且提供气相淀积方法。本发明的特征是,在气相淀积室内,使安装了储藏蒸发材料的容器的蒸发源托架104a、105a相对于衬底101,只向一个方向(例如Z轴方向)以一定速度移动(或来回移动),而且,在和蒸发源托架的移动方向直交的方向(例如X轴方向)上以一定间隔搬运衬底。
搜索关键词: 制造 设备
【主权项】:
1.一种制造设备包括:具备淀积室的淀积(成膜)设备, 其中,所述淀积室又包括:衬底托架,其中衬底相对于所述淀积室底面被垂直地放置,并且该衬底在被保持竖立的状态下在X轴方向上被移动;装有蒸发材料的蒸发源,该蒸发源提供在衬底对面;以和X轴呈直角的Z轴方向移动该蒸发源的装置,并且其中,在Z轴方向上升降所述蒸发源后,在X轴方向上以一定间隔移动所述衬底,反复重复该工艺以形成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410069433.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top