[发明专利]n－pin结构半导体发光二极管

摘要

n－pin结构的发光二极管，属于半导体光电子领域。针对现有技术中红色发光二极管制备方法生产成本高，且在进行二次外延时界面会引起问题，蓝色发光二极管方法制备的电流扩展层大大降低了器件的亮度，而且没有得到良好的电流扩展效应。本发明如所示，包括有纵向层叠的上欧姆接触电极(1)，p型上限制层(4)，红色或蓝色发光区(5)，n型下限制层(6)，衬底(7)和下欧姆接触电极(8)，特征在于，还包括上欧姆接触电极(1)和p型上限制层(4)之间的，纵向依次排列的n－电流扩展层(2)和隧道结(3)。本发明增强了扩展效应，提高了出光效率；减小电流扩展层的厚度，实现外延一次生长，降低生产成本；对GaN发光二极管简化了器件制备工艺。

主权项

1、n-pin结构的发光二极管，如图4和图5所示，包括有纵向层叠的上欧姆接触电极(1)，p型上限制层(4)，红色或蓝色发光区(5)，n型下限制层(6)，衬底(7)和下欧姆接触电极(8)，特征在于，还包括上欧姆接触电极(1)和p型上限制层(4)之间的，纵向依次排列的n-电流扩展层(2)和隧道结(3)。