[发明专利]制造NAND快闪器件的方法

摘要

本发明揭示一种制造NAND快闪器件的方法。在形成一源极线插塞孔之后，形成一漏极接触插塞孔。这些孔被填充一导电材料膜且接着被抛光。因此，由于省略了毯覆性蚀刻工艺步骤而简化了工艺。另外，避免了由毯覆性蚀刻工艺造成的漏极接触插塞的损失。因此，改良了器件的电特性且降低了制造成本。

主权项

1.一种制造NAND快闪器件的方法，包括下列步骤：制备一半导体衬底，该半导体衬底上有一用于选择一快闪单元的漏极端子的漏极选择晶体管以及一用于选择该快闪单元的源极端子的源极选择晶体管，其中该漏极选择晶体管及该源极选择晶体管具有位于该半导体衬底表面上的漏极区与一源极区；在该半导体衬底上形成一第一层间绝缘膜；去除该第一层间绝缘膜的一部分以形成一源极线接触孔，其中在该源极线接触孔的底部暴露该源极选择晶体管的该源极区；去除该第一层间绝缘膜的一部分以形成一漏极接触孔，其中在该漏极接触孔的底部暴露该漏极选择晶体管的该漏极区；在该源极线接触孔与该漏极接触孔中分别形成一源极线插塞及一漏极接触插塞；以及形成一连接至该漏极接触插塞的位线，及一连接至该源极线插塞的共源极线接触。