[发明专利]光学微机电元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410068511.3 | 申请日： | 2004-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1740913A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴名清;林弘毅;方维伦 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00;G02B26/10;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造光学微机电元件的方法，其包含提供一基质；沉积一氧化物层于该基质上；于该基质上进行多次蚀刻，以形成多种深度的沟槽(trench)；沉积第一多晶硅层，以回填该沟槽；沉积第一氮化物层与第二多晶硅层于该被回填的沟槽上；移除该第一多晶硅层；沉积第二氮化物层；以及进行一体蚀刻(bulk etching)。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 微机 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造光学微机电元件的方法，其包含：提供一基质；沉积一氧化物层于该基质上；于该基质上进行多次蚀刻，以形成多种深度的沟槽；沉积第一多晶硅层，以回填该沟槽；沉积第一氮化物层与第二多晶硅层于该被回填的沟槽上；移除该第一多晶硅层；沉积第二氮化物层；以及进行一体蚀刻。
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