[发明专利]制作亚稳绝缘体上SIGE衬底材料的方法及衬底材料有效
| 申请号： | 200410068369.2 | 申请日： | 2004-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1601701A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·W·拜德尔;陈华杰;基思·E·佛格尔;德温得拉·K·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在具有大约500埃或更薄的SOI层的SOI衬底上形成高质量亚稳SiGe合金，与形成在更厚的SOI衬底上且随后在高温下退火和/或氧化的同一SiGe层相比，该SiGe层能保持基本完全应变。从而本发明给出通过在薄的、清洁的和高质量的SOI衬底上生长而“抑制(frustrating)”亚稳的应变SiGe层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 绝缘体 sige 衬底 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.制作高质量、基本亚稳的绝缘体上SiGe衬底材料的方法，包含下列步骤：在顶部含Si层的一表面上形成含Ge层，顶部含Si层具有大约500埃或更小的厚度，并且位于抗Ge扩散的阻挡层上；以及在允许Ge贯穿所述顶部含Si层和所述含Ge层而相互扩散的温度下加热所述各层，从而在所述阻挡层顶上形成基本亚稳的抗弛豫的SiGe层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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