[发明专利]可用于相变存储器多级存储的相变材料有效
| 申请号： | 200410067987.5 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1604210A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘波;宋志棠;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11C13/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可用于相变存储器多级存储的相变材料。其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的Ge2Sb2Te5存储材料，其掺杂量为0.01－10原子百分比的氮或0.01－5原子百分比的硼。相变材料结构状态的改变将伴随着电阻性能的变化，其变化幅度可以达到多个数量级，脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态之间可逆转换，利用不同状态间电阻性能的改变可以实现相变存储器的多级存储，从而突破传统的“0”与“1”的存储模式，并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储器的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 多级 存储 材料 | ||
【主权项】：
1、一种可用于相变存储器多级存储的相变材料，其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的Ge2Sb2Te5存储材料，其掺杂量为0.01-10原子百分比的氮或0.01-5原子百分比的硼。
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