[发明专利]光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200410067901.9 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1603863A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张大伟;邵建达;范正修;王英剑;黄建兵;张东平;尚淑珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B1/12 | 分类号： | G02B1/12;G02B1/10 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法的关键是：采用物理真空电子枪蒸发沉积方式；选取低能量、高束流的霍尔型辅助离子源；基底不施加烘烤；沉积时，所述霍尔型辅助离子源的离子的具体参数根据薄膜所需的折射率和薄膜不结晶而确定。本发明所制备的氧化锆薄膜具备常温沉积的非晶优点和离子辅助技术的高射率、高附着力的优点，薄膜光学均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 均匀 氧化锆 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于该方法的关键是：采用物理真空电子枪蒸发沉积方式；选取低能量、高束流的霍尔型辅助离子源；基底不施加烘烤；沉积时，所述霍尔型辅助离子源的离子的具体参数根据薄膜所需的折射率和薄膜不结晶而确定。
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