[发明专利]一种用于浅沟槽隔离技术的化学机械抛光工艺无效
| 申请号： | 200410067833.6 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1604301A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/304;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属集成电路技术领域，具体是一种用于STI的新的CMP工艺，它采用可变压力，并将抛光工艺分为次抛光和主抛光二个工艺段，次抛光压力低于主抛光压力，以减少或避免划伤硅片，提高CMP的面内不均匀性，同时提高工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 沟槽 隔离 技术 化学 机械抛光 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种用于浅沟槽隔离技术的化学机械抛光工艺，其特征是该抛光工艺中采用可变压力，并将抛光工艺分成次、主抛光工艺段二个过程，次抛光在，前主抛光在后，次抛光工艺的压力低于主抛光工艺压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
