[发明专利]氧化铝原子淀积层的新预处理方法有效
| 申请号： | 200410067501.8 | 申请日： | 2004-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1767173A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈国庆;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/314;C23C16/30 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;竺明 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化铝原子淀积层的新预处理方法，在同一台氧化铝原子层淀积炉内进行多晶硅半球形栅层表面上淀积氮化硅层的预处理步骤和在其上淀积氧化铝介质层的工艺步骤。克服了操作困难，工艺流程长，容易污染，使用的设备多，制造成本高等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 原子 淀积层 预处理 方法 | ||
【主权项】：
1、氧化铝原子淀积层的新预处理方法，包括步骤： 步骤1：淀积厚度为400到500的多晶硅栅层；然后， 步骤2：进行热处理形成多晶硅半球形晶体，以增大多晶硅栅层的表 面面积； 步骤3：进行预处理，完成了步骤1和步骤2后制成的晶片放入要淀 积氧化铝(Al2O3)原子层的氧化铝原子层淀积炉内，氧化铝(Al2O3)原 子层淀积炉内引入NH3或N2O气与例如氩气(Ar)或氦气(He)或氮气 (N2)的混合气体，在500℃到700℃的温度下处理，生成厚度为5到40 的氮化硅(SiNx)层；这个表面氮化处理过程也可以通过远距离等离子氮 化来实现； 步骤4：经过步骤3处理的晶圆不从原子层淀积炉内取出，在同一台 氧化铝原子层淀积炉内淀积氧化铝(Al2O3)，氧化铝原子层淀积炉内直接 引入三甲基铝(TMA)和臭氧(O3)或水蒸汽(H2O)，使三甲基铝和臭 氧或水蒸汽进行化学反应，具体的化学反应式是：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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