[发明专利]一种消除氮化钛膜应力、降低膜电阻的退火工艺方法有效
| 申请号： | 200410066529.X | 申请日： | 2004-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1752282A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朱建军;许毅;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/56 | 分类号： | C23C16/56;C23C16/40;H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除MOCVD TiN膜应力、降低膜电阻的退火工艺方法，对淀积完MOCVD TiN膜的硅片进行退火处理，通过在特定参数的氮气和氢气混合气体气氛中退火，可以在低温状态下去除通孔内阻挡层中的C、O等杂质，减少侧壁上的阻挡层厚度，从而在避免金属条热诱导失效的情况下降低通孔电阻、削减阻挡层应力。本发明可用于集成电路芯片制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 氮化 应力 降低 电阻 退火 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除MOCVD TiN膜应力、降低膜电阻的退火工艺方法，对淀积完MOCVD TiN膜的硅片进行退火处理，其特征是：退火炉中氮气和氢气混合气体的压力的调节范围为10Tor～25Tor；氮气和氢气的体积比控制为1∶0.5～1∶5；退火时间为60S～90S；升温速度为70℃/S；退火温度为400℃～450℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
