[发明专利]磁场诱导沉积方法制备磁性纳米间隙电极无效

专利信息
申请号: 200410065951.3 申请日: 2004-12-28
公开(公告)号: CN1631766A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 徐丽娜;顾宁;解胜利;黄岚 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;H01L21/288;H01L21/445
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 磁场诱导取向沉积方法制备磁性纳米间隙电极,涉及一种纳米结构、纳米器件的加工技术。该方法通过磁性金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿着电极对方向的磁场同步诱导取向生长,在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙小到纳米级,实现磁性纳米间隙电极的简便低廉加工。制备的方法如下:首先,用普通光刻工艺制备出微米级或亚微米级间隙的原型电极;在原形电极表面组装双功能分子、键合引发剂,使电极表面具有催化活性;将具有催化括性的原型电极放入磁性金属或合金的化学镀溶液中,同时沿着原型电极对方向上施加一个外磁场,同步诱导磁性金属或合金在电极对尖端处优先沉积与取向生长,获得磁性纳米间隙电极。
搜索关键词: 磁场 诱导 沉积 方法 制备 磁性 纳米 间隙 电极
【主权项】:
1、一种磁场诱导沉积方法制备磁性纳米间隙电极的方法,其特征在于该方法将选择性化学沉积与磁场诱导相结合,沿着电极对的方向施加一个外磁场,通过金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿着电极对方向的磁场同步诱导取向生长,在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙减小到纳米级,加工出磁性纳米间隙电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410065951.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top