[发明专利]纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻及其制作工艺无效
| 申请号： | 200410065448.8 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1614720A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 孙丹峰;邴绍同;陈明 | 申请（专利权）人： | 江苏苏净集团有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C7/112 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215011江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻，它包括下列各成分：三氧化二铋、二氧化钛、氧化高钴、三氧化二镍、碳酸锰、硝酸铝、其余为氧化锌；本发明采用液相合成的单分散纳米TiO2与其它普通微米级粉体材料相复合，纳米TiO2颗粒在体系中均匀分布且完全不存在团聚体，由此方法制成的低压氧化锌压敏电阻电压梯度低于25V/mm，非线性系数、漏电流、限制电压比、能量容量和通流能力均优于传统方法生产的低压压敏电阻，批量生产成品率平均大于90％。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 掺杂 复合 低压 氧化锌 压敏电阻 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻，其特征在于：它包括下列按摩尔百分比配合的各成份三氧化二铋0.5％～0.8％；二氧化钛0.5％～1.5％；氧化高钴1.0％～1.5％；三氧化二镍0.1％～0.3％；碳酸锰0.3％～0.7％；硝酸铝0.002％～0.02％；其余为氧化锌；所述的二氧化钛为单分散纳米二氧化钛，其粒径小于20纳米，且在液相介质中以单颗粒形式存在。
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