[发明专利]半导体器件、使用其的系统装置及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200410063941.6 | 申请日： | 2004-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1571159A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 田中良幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/108;H01L27/115;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为减小半导体器件的尺寸和功耗，提供具有规定电路功能的第一电路。可以外连接于该第一电路的第二电路给第一电路不常用的特殊功能，从而使第一电路可以执行该特殊功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 使用 系统 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件：包括：具有规定电路功能的第一电路；其中，第二电路形成为能够外连接于第一电路，以便于给第一电路不常用的特殊功能并由此允许第一电路执行该特殊功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
