[发明专利]激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：从多个激光振荡装置输出多个激光；通过用光学系统使多个激光的束斑在半导体薄膜上彼此重叠形成一个束斑；只在由图案信息所决定的半导体薄膜的区域上，通过扫描所述形成的束斑来提高由图案信息所决定的区域的结晶度；通过图形化其结晶度已被提高的所述区域、利用图案信息形成具有结晶度的岛状半导体薄膜。