[发明专利]编码程序化光罩式只读存储器的方法有效
申请号: | 200410063304.9 | 申请日: | 2004-07-02 |
公开(公告)号: | CN1619703A | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
发明(设计)人: | 杨大弘;张庆裕;钟维民;薛正诚 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种编码程序化光罩式只读存储器的方法。根据本方法,于已植入位线的基板的字符线以与门极氧化层上形成第一光阻层。接着,图案化第一光阻层,以于所有的存储单元上形成对应交叉字符线及位线的预编码透光孔。再利用粒子植入或电浆方式固化第一光阻层。然后,在第一光阻层上形成第二光阻层,并图案化第二光阻层,以于编码为逻辑值0的存储单元上形成实际码透光孔。透过预编码透光孔以及实际码透光孔,对每一个待编码存储单元进行粒子植入。 | ||
搜索关键词: | 编码 程序化 光罩式 只读存储器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种编码程序化只读存储器(Read-only Memory,ROM)组件的方法,该ROM组件包括位于一基板中指向一第一方向的多条位线、位于该基板上的一栅极氧化层、以及以一第二方向形成于栅极氧化层上的多条字符线,该方法包括:于所述字符线及该栅极氧化层上,形成一第一植入阻抗层;选择性地曝光该第一植入阻抗层,以形成多个第一编码透光孔,各所述第一编码透光孔位于一栅极区中一字符在线,以及相邻两位线与该字符线交接处之间,其中所述第一编码透光孔形成的图案是大体上曝露所有该ROM组件中预定选取的待编码栅极区;于该第一植入阻抗层上,形成一第二植入阻抗层;选择性地曝光该第二植入阻抗层,以形成多个第二编码透光孔,其中各所述第二编码透光孔是根据该ROM组件的一编码内容决定其预设的位置;以及透过该第二编码透光孔植入粒子。
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