[发明专利]锂二次电池用电极和锂二次电池无效

专利信息
申请号: 200410063209.9 申请日: 2004-06-30
公开(公告)号: CN1577921A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 田村宜之;加藤善雄;松田茂树;神野丸男 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M10/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本国大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种锂二次电池用电极,其特征在于活性物质薄膜在主体上具有与Li反应的第一相、和在初次充电前及初次充电后的各循环放电后至少存在的与Li反应比所述的第一相难的第二相,集电体表面的算术平均粗造度Ra为0.1微米以上,在薄膜表面上形成有与集电体表面凹凸对应的凹凸,通过初次以后的充放电,由薄膜表面凹凸的谷部与集电体表面凹凸的谷部的连接线沿着厚度方向形成裂缝,该裂缝将薄膜分离成柱状或岛状。根据本发明的在由不与Li合金化的金属组成的集电体上,设置了与Li合金化的活性物质薄膜的锂二次电池用电极,可以改善循环特性。
搜索关键词: 二次 电池 用电
【主权项】:
1.一种锂二次电池用电极,在由不与Li合金化的金属组成的集电体上设置了与Li合金化的活性物质薄膜的锂二次电池用电极中,其特征在于,所述的活性物质薄膜,主体上具有与Li反应的第一相、和在初次充电前及初次充电后的各循环放电后至少存在的、与Li的反应比所述的第一相难的第二相,所述集电体表面的算术平均粗造度Ra为0.1微米以上,在所述薄膜的表面形成有与所述的集电体表面凹凸对应的凹凸,通过初次以后的充放电,由所述薄膜表面的凹凸的谷部与所述集电体表面的凹凸的谷部的连接线沿着厚度方向形成裂缝,所述的裂缝将所述的薄膜分离成柱状或岛状。
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