[发明专利]晶圆的切割方法无效
| 申请号： | 200410062275.4 | 申请日： | 2004-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1719586A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 温大同;温大明 | 申请（专利权）人： | 温大同;温大明 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙刚 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆的切割方法，包含下列步骤：(a)将完成粘贴胶膜及激光划设线沟工艺的晶圆放置于机台的压片平台上；(b)辗压机构以辗压方式辗压晶圆；(c)晶圆线沟部位辗压分离成数个小芯片。利用辗压机构下方的滚筒，以辗压的方式将晶圆线沟部位断离成数个小芯片或晶粒，使晶圆的切割作业达到更具有效率的产业利用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶圆的切割方法，其特征在于，包含下列步骤：(a)将完成粘贴胶膜及激光划设线沟工艺的晶圆放置于机台的压片平台上；(b)辗压机构以辗压方式辗压晶圆；(c)晶圆线沟部位辗压分离成数个小芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
