[发明专利]高抗静电高效发光二极管及制作方法

摘要

高抗静电高效发光二极管及制作方法，属于半导体光电子技术领域。它包含利用一导电型半导体材料制作的基板及发光二极管芯片，基板上制作有集成的双向稳压二极管，发光二极管芯片主要包含在一透明蓝宝石衬底及在此衬底上的GaN结构层和整面P电极、N电极，将发光二极管芯片倒装在该基板上。发光二极管有源区发出的光从背面蓝宝石端取出，增加了取光面积，可以提高发光二极管的发光效率1.5－2倍。由于基板上集成了抗静电保护双向稳压二极管，有效增强了发光二极管抗静电放电能力，又发光二极管直接通过电极与特殊制作的基板接触，增大了接触面积，改善了蓝宝石散热不佳的特性，可实现大功率输出，降低成本，提高器件可靠性等作用。

主权项

1.高抗静电高效发光二极管，它包含特殊制作的基板及发光二极管芯片，其特征在于：此发光二极管芯片主要包含在一透明蓝宝石衬底(1)及在此衬底上的GaN结构层(12)和整面P电极(3)、N电极(2)；基板用重掺杂N型单面抛光硅单晶做衬底(9)，在前述硅抛光表面生长有氧化层(7)；在前述氧化层上局部形成有扩散窗口；在前述扩散窗口形成高浓度P型层；在前述P型层上形成欧姆接触层(6)；在前述欧姆接触层上形成金属层(5)，金属层连接前述发光二极管芯片的P电极(3)、N电极(2)之用；在前述欧姆接触层上形成延伸电极(8)，用于前述发光二极管芯片和前述基板的电路连接。