[发明专利]半导体晶片的湿化学表面处理方法无效
| 申请号： | 200410062029.9 | 申请日： | 2004-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1577764A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 京特·施瓦布;赫尔穆特·弗兰克;赫尔穆特·帕尔策;曼弗雷德·舍夫贝格尔;马克西米利安·施塔德勒 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304;H01L21/302 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体晶片的湿化学表面处理方法，其中所述半导体晶片用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 化学 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体晶片的湿化学表面处理方法，其中所述半导体晶片—用酸性液体处理，由该半导体晶片的每个表面除去至多10微米的材料，然后—用碱性液体处理，除去至少足够的材料，以便完全除去经先前机械处理损伤的晶体区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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