[发明专利]半导体器件的导线形成方法有效
| 申请号： | 200410061945.0 | 申请日： | 2004-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1638064A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈成坤 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成半导体器件导线的方法。在通过接触孔暴露的掺杂结区上形成钴硅化物层，该钴硅化物层可使接触电阻稳定，因此，掺杂结区的接触电阻在后续热处理工序中不发生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导线 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的导线形成方法，包括以下步骤：在包括一栅电极和一掺杂结区的一半导体基底上形成一较低绝缘膜；蚀刻所述较低绝缘膜，以形成暴露所述栅电极的上表面的一第一接触孔和暴露所述掺杂结区的一第二接触孔；在通过所述第二接触孔暴露的所述掺杂结区上形成一钴硅化物层；在包括所述第一和第二接触孔的所述半导体基底上形成由一Ti膜和一TiN膜组成的一叠层结构；在包括所述第一和第二接触孔的所述较低绝缘膜上形成一导电层；及对所述导电层构图，以形成导线图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410061945.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：陀螺仪控制的行走式修平机
- 下一篇：风力发电用的风车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
