[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410061938.0 | 申请日： | 2004-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1577827A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 龟山工次郎;三田清志 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，其特征在于：所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。
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