[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410061801.5 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1577905A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦;藤原博之;佐久田昌明;安孙子一松 | 申请（专利权）人： | 冲数据株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是，在衬底上形成半导体薄膜后进行分离以制造半导体器件的半导体器件的制造方法中，提高衬底的再利用效率。在衬底(11)上顺序形成刻蚀停止层(13)、剥离层(14)以及半导体薄膜(20)，在半导体薄膜(20)上形成半导体元件后，用第1刻蚀液，例如硫酸双氧水水溶液，在半导体薄膜(20)及剥离层(14)中形成沟槽(21)，接着，用第2刻蚀液例如氢氟酸除去剥离层(14)。刻蚀停止层(13)与半导体薄膜(20)及剥离层(14)相比是难以用第1刻蚀液(硫酸双氧水水溶液)刻蚀的层，半导体薄膜(20)与剥离层(14)相比，是难以用第2刻蚀液(氢氟酸)刻蚀的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层叠体，它配备：衬底；包括在上述衬底上形成的刻蚀停止层及第1剥离层的复合层；以及在上述复合层上形成的半导体薄膜，该层叠体的特征在于：上述刻蚀停止层是与上述半导体薄膜相比难以用第1刻蚀液刻蚀的层，上述半导体薄膜是与上述第1剥离层相比难以用第2刻蚀液刻蚀的薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲数据株式会社，未经冲数据株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410061801.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
