[发明专利]用纳米颗粒制备纳米晶薄膜的方法无效
申请号: | 200410060842.2 | 申请日: | 2004-09-13 |
公开(公告)号: | CN1588650A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
发明(设计)人: | 赵兴中;韩宏伟 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04;H01G9/20;B82B3/00;B01J19/00;C01G1/02;C01G23/04;C01G9/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种用纳米颗粒制备纳米晶薄膜的方法,采用粉末涂覆法,即混合球磨、涂覆、烧结,将纳米颗粒粉末与乙醇、乙酰丙酮混合并球磨0.5~5小时,之后再加入乙醇和曲酮Triton X-100,继续球磨1~10小时;所述的涂覆过程温度为10~70℃。该方法不仅生产工艺简单、成本低廉,而且适应范围广,特别是解决了微胶体溶液储存期短而易沉淀聚集的难题,减少了聚集对纳米晶薄膜性能的影响。该方法是一种具有很大发展潜力和市场前景的新型方法。 | ||
搜索关键词: | 纳米 颗粒 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、用纳米颗粒制备纳米晶薄膜的方法,采用粉末涂覆法,即混合球磨、涂覆、烧结,其特征在于将纳米颗粒粉末与乙醇、乙酰丙酮混合并球磨0.5~5小时,之后再加入乙醇和曲酮Triton X-100,继续球磨1~10小时;所述的涂覆过程温度为10~70℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的