[发明专利]相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200410060770.1 | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1598040A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王双保;周少波;陈四海;陈长虹;易新建 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法，包括：在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜；采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：背底真空4×10－4Pa～3×10－3Pa，氧气压强6×10－4Pa～8×10－3Pa，氩气压强1×10－2Pa～2.3×10－2Pa，离子束流功率8W～60W，衬底温度120℃～450℃，溅射时间10～45分钟，靶材为钒靶；对样片进行退火处理，工艺条件为：气体为氩气或氮气，退火温度250℃～580℃，退火时间20～240分钟，得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点，可作成适用于不同温度的开关；保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 温度 可调 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)在硅片上先沉积一层氧化硅薄膜，再沉积一层氮化硅薄膜；(2)采用离子束反应溅射法，在上述氮化硅薄膜上沉积氧化钒薄膜，离子束反应溅射工艺条件为：背底真空4×10-4Pa～3×10-3Pa，氧气压强6×10-4Pa～8×10-3Pa，氩气压强1×10-2Pa～2.3×10-2Pa，离子束流功率8W～60W，衬底温度120℃～450℃，溅射时间10～45分钟，溅射采用的靶材为钒靶；(3)取出沉积氧化钒薄膜的样片，进行退火处理，退火工艺条件为：气体为氩气或氮气，退火温度250℃～580℃，退火时间20～240分钟，得到相变的氧化钒薄膜。
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